SiCパワー半導体の今後のさらなる拡大普及のためには、そのパワー半導体素子の基板となるSiCウェハの高い半導体性能・信頼性の確保と低コスト化を両立する材料技術の開発も必要です。当分科会では、これらの開発に必要な技術分野（材料、装置、プロセス、評価）をつくば拠点を介して有機的に連携できる環境・体制の形成に努めております。学会や企業の広報活動だけでは接点の持ちにくい連携は産総研側がハブ役になることで、分科会立ち上げ後、うまく活用頂けております。従来技術を超える革新的なウェハ製造技術を目指した活動を念頭に、それぞれの役割分担を明確にしながら、日本の強い材料技術の創生に努めてまいります。
施設・設備
SiC結晶成長技術研究開発棟
SiCウェハ加工技術研究開発棟
研究開発テーマ例
大口径・高効率結晶成長技術開発
高速研磨技術
